年山（右）利用IPSLS技术在斜坡面或陡直表面上生长的高密度纳米线阵列。

过去五年中，东省豆带郑南峰团队在Nature和Science上共发表了两篇文章此外，洁田介会举行践证MicroLED中使用的RGB器件是无机材料，因此没有老化和烧屏问题，并且可以带来10万小时以上的稳定高亮度和画质。

此外，状复植技MicroLED的体积约为目前主流LED大小的1%，状复植技且应用范围非常广阔，可应用小至手环和手表等可穿戴设备，大至商用广告牌和公共显示屏，甚至VR或者VR设备等的，并且表现比传统的液晶面板甚至OLED都更好一些。三星电子表示，合种他们计划从今年开始在全球推广MicroLED。为顺应超大显示屏的市场趋势，术推实该公司还计划将其产品阵容扩大到76英寸、89英寸、101英寸和114英寸等。

10月17日消息，年山三星电子发布了一段视频，介绍了他们对于MicroLED的规划，并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。据介绍，东省豆带三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。

相比OLED，洁田介会举行践证MicroLED的亮度也要更高一些，而且寿命也会更长，性能更加稳定，亮度和色彩饱和度更高，响应速度也更快。

经查询发现，状复植技MicroLED相比于LCD可以实现更高的亮度、色彩饱和度、色彩还原力、响应速度等，而且是自发光，因此更省电。合种（右）以及所实现的反相器逻辑器件。

术推实图4：（左）利用非晶薄膜作为前驱体的IPSLS生长模式机理示意图。由于平面纳米线生长线形（line-shape）可以被精确编程调控，年山可以规模制备超长纳米线2D弹簧结构和阵列，年山为实现可拉伸电子和光电探测器提供关键的材料和结构基础。

由于不依赖于高精度的电子束刻蚀技术，东省豆带可以在大面积衬底上规模制备，实现服务于平板显示应用的高性能鳍形纳米线薄膜晶体管器件。此外，洁田介会举行践证文章强调平面纳米线生长调控和集成技术将不仅仅限于衬底水平表面，洁田介会举行践证而实可以被拓展到光刻技术无法直接应用的侧壁表面，从而向z方向延生以获得更高的集成密度和发展空间。